Den GDDR4 SDRAM ( Grafik Double Data Rate , version 4 ) er en type hukommelse til kort grafik angivet af " JEDEC Semiconductor Hukommelse Standard ". Dens hovedkonkurrent ser ud til at være Rambus XDR DRAM . GDDR4 er efterfølgeren til GDDR3- hukommelse, men er ikke relateret til JEDEC DDR3- hukommelsesstandarden .
Det 16. november 2005, Samsung meddelte udviklingen af en 256 Mib GDDR4- hukommelse, der fungerer med 3,2 Gbit / s . Samsung har også afsløret planer for masseproduktion af GDDR4 SDRAM klokket til 2,8 Gbps pr. Ben.
Det 14. februar 2006, Samsung annoncerede udviklingen af 32-bit 512-SDRAM MiBit GDDR4, der er i stand til at overføre 3,2 Gbps pr. Pin .
Det 9. februar 2007, Samsung har annonceret masseproduktion af GDDR4 SDRAM 512 Mbit ved 32 bit, dens båndbredde er bedømt til 2,8 Gbit / s pr. Ben .
GDDR4 SDRAM introducerer DBI ( Data Bus Inversion ) og " Multi-Preamble " for at reducere datatransmissionstiderne. Forhentningen er ændret fra 4 til 8 bit . Den maksimale mængde GDDR4-hukommelse til moduler er blevet øget til 8. For at opnå den samme båndbredde som GDDR3 SDRAM fungerer GDDR4- kernen ved halv kernehastigheden af en GDDR3 med den samme rå båndbredde. Kernen spænding var faldet til 1,5 V .
Denne hukommelse er tilgængelig på ATI Radeon HD X1950 XTX , 2900 XT , 2600 XT videokort og en begrænset serie af SAPPHIRE Radeon HD 4670 udstyret med 512 Mio af dette RAM. GDDR4 er beregnet til at opnå hastigheder over 1,4 GHz (2,8 GBit / s ). Samsung havde imidlertid til formål at øge GDDR4-effektiviteten over 1,6 GHz (3,2 GBit / s , ved højere spænding).