Triethylgallium
| Triethylgallium | |||
| Struktur af triethylgallium | |||
| Identifikation | |||
|---|---|---|---|
| IUPAC navn | Triethylgallan | ||
| N o CAS | |||
| N o ECHA | 100.012.939 | ||
| N o EF | 214-232-7 | ||
| PubChem | 66198 | ||
| SMILE |
CC [Ga] (CC) CC , |
||
| InChI |
Std. InChI: InChI = 1S / 3C2H5.Ga / c3 * 1-2; / h3 * 1H2,2H3; Std. InChIKey: RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N |
||
| Kemiske egenskaber | |||
| Brute formel |
C 6 H 15 Ga |
||
| Molar masse | 156,906 ± 0,007 g / mol C 45,93%, H 9,64%, Ga 44,44%, |
||
| Fysiske egenskaber | |||
| T ° fusion | −82 ° C | ||
| T ° kogning | 109 ° C ved 40 kPa | ||
| Volumenmasse | 1,067 g · cm -3 til 25 ° C | ||
| Mættende damptryk | 2,1 kPa ved 43 ° C | ||
| Forholdsregler | |||
| SGH | |||
  Fare H250, H260, H314, P210, P280, P231 + P232, P305 + P351 + P338, P370 + P378, P422, H250 : Antænder spontant ved kontakt med luft H260 : Ved kontakt med vand frigives brandfarlige gasser, der kan antændes spontant H314 : Forårsager svære forbrændinger af huden og øjenskader P210 : Holdes væk fra varme / gnister / åben ild / varme overflader. - Rygning forbudt. P280 : Bær beskyttelseshandsker / beskyttelsestøj / øjenbeskyttelse / ansigtsbeskyttelse. P231 + P232 : Håndteres under inaktiv gas. Beskyt mod fugt. P305 + P351 + P338 : Ved øjnene: Skyl forsigtigt med vand i flere minutter. Fjern kontaktlinser, hvis offeret har dem på, og de let kan fjernes. Fortsæt med at skylle. P370 + P378 : I tilfælde af brand: Brug ... til udryddelse. P422 : Gem indhold under ... |
|||
| Transportere | |||
3394 : pyroforiske væske, REAGERER MED VAND ORGANOMETALLISK STOF Klasse: 4.3 Etiketter: 4.3 : Stoffer som ved kontakt med vand udvikler brandfarlige gasser 4.2 : Stoffer Selvantændelige antændelse Emballage: Packing gruppe I : meget farlige materialer;   |
|||
| Enheder af SI og STP, medmindre andet er angivet. | |||
Den triethylgallium eller Tega , er en kemisk forbindelse med formlen (CH 3 CH 2 ) 3 Ga, ofte skrevet Ga (C 2 H 5 ) 3. Det er en organometallisk forbindelse af gallium anvendt af halvlederindustrien gennem MOCVD- teknikker til erstatning af trimethylgallium Ga (CH 3 ) 3fordi det efterlader mindre kulstofurenheder i de epitaksiale lag . Det er i form af en tyktflydende, farveløs, pyroforisk væske med en sødlig lugt, der nedbrydes ved kontakt med vand. Dens molekyler findes som monomerer i gasfasen og i opløsning i benzen og petroleumsether .
Ligesom trimethylgallium, kan den opnås fra organiske kviksølvforbindelser såsom diethylmercury Hg (CH 2 CH 3 ) 2.
2 Ga + 3 Hg (C 2 H 5 ) 2⟶ 2 Ga (C 2 H 5 ) 3+ 3 Hg .Det kan også fremstilles ud fra gallium trichlorid (en) GaCl 3ved omsætning med triethylaluminium Al 2 (C 2 H 5 ) 6og kaliumchlorid KCl.
GaCl 3 (en) + 3 AI (C 2 H 5 ) 3+ 3 KCI ⟶ Ga (C 2 H 5 ) 3+ 3 K [(C 2 H 5 ) 2 AICI 2].Noter og referencer
- beregnet molekylmasse fra " Atomic vægte af elementerne 2007 " på www.chem.qmul.ac.uk .
- Sigma-Aldrich- ark af forbindelsen Triethylgallium , hørt 24. november 2018.
- (i) A. Saxler, D. Walker, P. Kung, X. Zhang og Mr. Razeghi , " Sammenligning af triethyl trimethylgallium og for vækst af GaN " , Applied Physics Letters , vol. 71, nr . 22, December 1997, s. 3272-3274 ( DOI 10.1063 / 1.120310 , Bibcode 1997ApPhL..71.3272S , læs online )
- (i) Deodatta V. Shenai-Khatkhate, Randall J. Goyette, Ronald L. DiCarlo Jr. og Gregory Dripps , " Miljø, sundhed og sikkerhed for kilder, der anvendes i MOVPE vækst af sammensatte halvledere " , Journal of Crystal Growth , flyvning . 272, n knogle 1-4 10. december 2004, s. 816-821 ( DOI 10.1016 / j.jcrysgro.2004.09.007 , Bibcode 2004JCrGr.272..816S , læs online )