Silicium | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stykke poleret skive og blok af rent silicium. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Position i det periodiske system | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Symbol | Ja | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Efternavn | Silicium | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Atom nummer | 14 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Gruppe | 14 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Periode | 3 e periode | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Blok | Bloker s | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Elementfamilie | Metalloid | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Elektronisk konfiguration | [ Ne ] 3 s 2 3 p 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Elektroner efter energiniveau | 2, 8, 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Elementets atomare egenskaber | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Atommasse | 28,0855 ± 0,0003 u | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Atomisk radius (calc) | 110 pm ( 111 pm ) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Kovalent radius | 111 ± 14:00 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Van der Waals-radius | Kl. 210 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Oxidationstilstand | +1, +2, +3, +4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Elektronegativitet ( Pauling ) | 1,90 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Oxid | amfoter | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Ioniseringsenergier | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
* 1 re : 8.15168 eV | * 8 e : 303,54 eV | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
* 2 e : 16.34584 eV | * 9 e : 351,12 eV | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
* 3 E : 33,49302 eV | * 10 e : 401,37 eV | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
* 4 th : 45,14181 eV | * 11 e : 476,36 eV | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
* 5 th : 166.767 eV | * 12 e : 523,42 eV | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
* 6 th : 205,27 eV | * 13 th : 2,437.63 eV | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
* 7 th : 246,5 eV | * 14 th : 2.673.182 eV | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Mest stabile isotoper | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Enkle kropsfysiske egenskaber | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Almindelig tilstand | solid diamagnetisk | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Andre allotropes | Silikone | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Volumenmasse | 2,33 g · cm -3 ( 25 ° C ) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Krystal system | Kubisk diamant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Hårdhed | 6,50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Farve | mørkegrå | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Fusionspunkt | 1414 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Kogepunkt | 3265 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Fusionsenergi | 50,55 kJ · mol -1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Fordampningsenergi | 384,22 kJ · mol -1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Molært volumen | 12.06 × 10 -6 m 3 · mol -1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Damptryk | 4,77 Pa | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Lydens hastighed | 8433 m · s -1 til 20 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Massiv varme |
700 J · kg -1 · K- 1
ligning:
27,19604 J · mol -1 · K -1 (flydende 1 411,9 til 3 231,5 ° C ) ligning:
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Elektrisk ledningsevne | 2,52 × 10-4 S · m- 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Båndgab ved 300 K | 1,12 eV | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Varmeledningsevne | 148 W · m- 1 · K- 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Forskellige | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
N o CAS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
N o ECHA | 100.028.300 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
N o EF | 231-130-8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Forholdsregler | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SGH | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Pulveriseret tilstand :
Advarsel H228, P210, H228 : Brandfarligt fast stof P210 : Holdes væk fra varme / gnister / åben ild / varme overflader. - Rygning forbudt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
WHMIS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
B4, B4 : Brandfarligt fast stof Transport af farligt gods: klasse 4.1 Oplysning ved 1,0% i henhold til klassificeringskriterier |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Transportere | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Pulveriseret tilstand :
1346 : amorf siliciumpulver Klasse: 4.1 Etiket: 4.1 : Brandfarlige faste stoffer, selvnedbrydende stoffer og desensibiliserede eksplosive faststoffer Emballage: Emballage gruppe III : stoffer med lav fare. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Enheder af SI & STP, medmindre andet er angivet. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Den silicium er det grundstof af atomnummer 14, af symbol Si. Denne metalloid tetravalent tilhører Gruppe 14 i det periodiske system . Det er det mest forekommende element i jordskorpen efter ilt , dvs. 25,7% af dets masse, men det er forholdsvis kun til stede i relativt små mængder i det stof, der udgør levende ting. Det eksisterer ikke i naturen som en simpel krop , men i form af forbindelser: i form af siliciumdioxid (SiO 2 ), af biogen oprindelse (fremstillet af en levende organisme såsom diatomer eller radioaktive stoffer ), findes den i dannelse af amorf silica (i sand ), eller af Litogene oprindelse , når det er i form af mineralsk silica ( kvarts , cristobalit , etc. ) eller andre silicater (i feldspat , den kaolinit ...).
I sin amorfe form, silica (SiO 2 ), generelt opnået fra diatomé jord , er blevet anvendt i meget lang tid som en væsentlig bestanddel af glas . Det har siden midten XX th århundrede nye anvendelser i elektronisk ( transistor ), til produktion af materialer såsom silikoner, at gøre solpaneler solcelle og som biomineral er amorf silica i øjeblikket undersøgt for dets anvendelser inden for nanoteknologi.
Navnet stammer fra den latinske flint, silicĭs, hvilket betyder sten eller flint .
Mulig forvirring : på engelsk, silicium betegner silicium, silicone betegner silicone og silica betegner silica.
Der er tre naturlige isotoper af silicium, alle stabile : 28 Si (92,18%), 29 Si (4,71%) og 30 Si (3,12%). Der er også kunstige, ustabile isotoper : 25 Si, 26 Si og 27 Si, som er β + -emittere , samt 31 Si til 34 Si, som er β - emittere .
Silicium er fast under standardbetingelser , med under 1 atm et smeltepunkt på 1414 ° C og et kogepunkt på 3265 ° C . Som vand er det tættere i flydende tilstand end i fast tilstand, i modsætning til de fleste andre stoffer. Det er også en ret god varmeledning ( varmeledningsevne : 149 W m -1 K -1 ).
I krystallinsk form er rent silicium grå med blålig metalliske refleksioner. Ligesom germanium er det ikke meget deformerbart og meget skørt. Ligesom kulstof og germanium krystalliserer det sig i det kubiske system ( diamantstruktur ). Den krystal silicium er grå til sorte, formede nåle eller hexahedrons . Silicium er en halvleder , dets elektriske ledningsevne er meget lavere end metaller.
Der er to andre allotroper af silicium: silicen, hvor siliciumatomer er bundet i kæder, og silicen, hvor de danner flade lag.
Silicium findes også i en amorf tilstand i form af et mørkebrunt pulver.
Silicium oxiderer meget hurtigt i luft for at danne et lag silica på overfladen, som isolerer prøven fra ilt og beskytter den mod yderligere oxidation ( passivering ); dette oxidlag kan fjernes med flussyre HF eller ved termisk slid . Uopløselig i vand undtagen ved høj temperatur angribes silicium af flussyre HF eller af en blanding af flussyre / salpetersyre (HNO 3 ) afhængigt af fasen .
Silicium har en diamantlignende struktur (som germanium og diamantformen af kulstof ) med en gitterparameter på 0,543 071 0 nm .
En af siliciumforbindelserne, siliciumdioxid (siliciumdioxid), var allerede kendt i antikken og blev betragtet som et element af alkymister og derefter kemikere. Den stærke modstandsdygtighed af silica og dens mange forbindelser (især silicater ) over for meteoriske stoffer forklarer deres overflod i mineraler, og at de udgør det karakteristiske element i de vigtigste klipper (med undtagelse af carbonater ).
Silicium blev først isoleret i 1823 af Jöns Jacob Berzelius . Det var først i 1854, at Henri Sainte-Claire Deville opnåede krystallinsk silicium.
Den syntese af silikoner repræsenterer også en betydelig anvendelse af silicium (ca. 40% af forbruget). Disse [(CH 3 ) 2 SiO] n polymerer anvendes i fugemasser , vandafvisende eller varmeledende smørefedt, vask pulvere eller konditionerende shampooer osv
Halvlederegenskaberne af silicium tillod oprettelsen af anden generation af transistorer , derefter integrerede kredsløb ("chips"). Det er stadig et af de væsentlige elementer for elektronik i dag , især takket være den nuværende teknologiske kapacitet, der gør det muligt at opnå rent silicium på mere end 99.999 99% ( Czochralski træk , flydende smeltezone ).
SolcellerSom halvleder er silicium også det vigtigste element, der anvendes til fremstilling af solceller fra solceller . Disse samles derefter i solpaneler til produktion af elektricitet.
Silicium har i sin rene tilstand høje mekaniske egenskaber, som gør det brugt til produktion af små dele beregnet til visse mikromekanismer og endda til fremstilling af spiralfjedre beregnet til avancerede mekaniske ure.
Aluminium-siliciumlegeringerDen vigtigste anvendelse af silicium som et enkelt legeme er som et legeringselement med aluminium . Aluminium-silicium -legeringer ( AS eller 40000-serien ifølge NF EN 1780-1, også kaldet "sialumins") anvendes til fremstilling af formdele , især til biler (f.eks legeret fælg) og luftfart. (F.eks elementer af indbyggede elektriske motorer). Aluminium-siliciumlegeringer tegner sig for ca. 55% af det globale siliciumforbrug. Den bedst kendte legering er Alpax tæt på den eutektiske sammensætning (ca. 13 % m Si).
På grund af udførelsen af ætsning og formdannende processer med silicium anvendes silicium til:
Ud over egenskaberne ved elementært silicium har mange siliciumforbindelser anvendelser. Blandt de mest berømte:
Den silicium 32 kan bruges radiometrisk datering til at bestemme alderen rækkefølgen af århundredet.
Efter ilt er det det rigeste element i jordskorpen .
Silicium på jorden findes hovedsageligt i mineralform og især i form af silicater , som udgør 28% af jordskorpen . Silicium er for eksempel en bestanddel af silicasand, resultatet af nedbrydning af klipper såsom granit .
Silicium findes i visse organiske molekyler, såsom silaner - methylsilantrioler, dimethylsilandiol -, silatraner.
Den kiselalger og radiolarians stede i plankton er i begyndelsen af fødekæden af havene, deltage i biogeokemiske kredsløb af silicium. De ekstraherer silica fra havvand for at danne deres ydre skelet. Havvand er relativt fattigt i silica undtagen i store dybder (opløsning af skeletter af kiselalger) og i nærheden af flodmundinger. Det stiger til overfladen kun takket upwelling ( opstigning ). Der er derefter en betydelig produktion af plankton. Men den mest fornyede kilde til silica i havene opløses i vandet i floderne, der strømmer ind i dem, men også i deres silt. Det blev revet fra bjergkæder og land krydset af vand fra kilder, vandløb og floder. Det er også i flodmundingen, vi finder mest fisk. Da de er øverst i den marine fødekæde, må vi overveje, at det er fordi de finder der plankton i mængde. Vi må derfor undre os over de store mængder silt fanget i bunden af dæmninger i vandløbsoplande rundt om i verden. Dette kan meget vel påvirke den nuværende bestand af fisk i havene, som er i kraftig tilbagegang.
Den menneskelige krop indeholder omkring 7 g silicium.
Silicium findes forbundet med glycosaminoglycaner og polyuronider: chondroitinsulfat, dermatansulfat, keratansulfat, heparansulfat og heparin. Det er også involveret i syntesen af kollagen (3 til 6 atomer af Si pr. Alfakæde) og elastin . Den aorta sker for at være det væv, som indeholder mest af det sammen med hud og thymus . Siliciumniveauet i disse væv falder med alderen i meget store proportioner: tab på ca. 80-90% (undersøgelse på kaniner) . Faldet i silicium i arterievæggene er korreleret med fragmenteringen af elastin og tabet af dets elasticitet. Jo mere aterosklerotisk en arterie er, jo mindre silica indeholder den, og jo mere stiv er den .
En diæt med højt kolesteroltal forårsager eksperimentel aterosklerose hos kaniner. Indgivelsen af organisk silicium forhindrer fragmentering af elastinfibrene . Et stift rør leder en strøm mindre godt end et fleksibelt rør. Gendannelse af arteriel elasticitet - overholdelse - vil uden tvivl hjælpe med at sænke højt blodtryk.
Silicium er involveret i bindingen af calcium (Ca) på niveauet af skeletet. Den osteoide grænse, det område, hvor knoglen fremstilles, har en top i siliciumkoncentration, der ikke findes i moden knogle. Silicium forstærker virkningen af zink (zn) og kobber (Cu).
Silicium deltager i immunsystemets funktion . Thymus, der indeholder betydelige mængder af det, er det organ, hvor T-lymfocytter "programmerer" sig selv. Det skal også bemærkes, at makrofager har en meget stor appetit på det og genbruger silica lokalt i overskud (f.eks. lunger). Det er også involveret i syntesen af antistoffer ( immunglobuliner ).
For nogle vil vores siliciumreserve falde drastisk med alderen. Faktisk er der først og fremmest en ændring i fordelingen af silicium i kroppen: nogle væv ser deres hastighed falde drastisk (hud, arterier, thymus, brusk osv.), Andre "bliver støvet" på en markant måde som f.eks. lunger og ganglier forbundet med dem på grund af deres store rigdom i makrofager. Hvis balancen mellem totalt silicium som funktion af alder godt kunne balancere med hensyn til mængde, synes den effektive tilgængelighed for stofskifte at falde med alderen. Dette skal ses i sammenhæng med insufficiens i fødeindtagelse og den progressive mangel på organismen i organiske molekyler, der indeholder "en-diol" -enheder . Disse ændrer siliciumens valens og danner dermed hypervalente komplekser (penta- eller hexa-) af høj biologisk betydning. Blandt disse molekyler er polyphenoler (antioxidanter), visse neuromediatorer som følge af metabolismen af tyrosin (adrenalin, dopamin) eller tryptophan (serotonin, melatonin) og især ascorbinsyre (C-vitamin). Det er derfor ikke sikkert, at daglige fødeindtag er dækket i alle befolkningssegmenter, især dem med øgede behov eller mangler på grund af en ikke-diversificeret diæt, der er fattig i frugt og grøntsager og andre fødevarer rig på polyfenoler. Antioxidanter (voksende børn, gravide kvinder , ældre) eller mennesker med øgede behov. Således er muskuloskeletale ulykker meget mange hos atleter (forstuvninger, senebetændelse, stammer, mikrobrud osv. ). Disse ulykker involverer anatomiske strukturer såsom knogle, hvor silicium er en nøglefaktor i dets syntese eller andre, såsom sener, ledbånd eller muskler, der indeholder store mængder silicium (elastin, kollagen). Den eksterne anvendelse af en gel indeholdende organiske komplekser baseret på methylsilantriol, der krydser hudbarrieren, er af stor terapeutisk interesse .
I naturen dannes "organisk silicium" på overfladen af silica under påvirkning af elementer forbundet med planterødderne for at gøre det muligt for dem at assimilere det. Visse planter såsom padderok , bambus, brændenælde , havre, der indeholder betydelige mængder silicium, er meget udbredt i urtemedicin og kosmetologi (brændenælde, havre). Den hensynsløse tørring af disse planter ophæver nogle af de gavnlige virkninger, fordi silica polymeriserer . Andre planter, der anvendes i menneskelig mad, såsom ris, hvede, æble (pektin) osv. De indeholder også betydelige mængder, især i skaller, hvorfor fordelen ved at indtage ris eller fuld hvede. Visse mineralvand, vin, især øl kan også betragtes som bemærkelsesværdige kilder. Den AFSSA (franske agentur for fødevaresikkerhed) har ikke etableret anbefalede daglige indtag for silicium. Behovene anses generelt for at være stort set dækket af kosten uden nogen virkelig seriøs undersøgelse, der understøtter denne påstand.
Udtrykket "organisk silicium" er passende, når kemikere tilsætter et eller flere carbonatomer til et siliciumatom, hvilket for eksempel resulterer i en monomethylsilantriol eller en dimethylsilandiol. Den kontrollerede tilknytning af et passende organisk molekyle (f.eks. Et salicylat) med monomethylsilantriol danner et kompleks udstyret med interessante egenskaber, såsom muligheden for at trænge dybt ind i hudovertrækket. Denne type kompleks bruges i vid udstrækning i kosmetologi som en anti-rynke ved intercellulær fyldnings- og stramningseffekt. Dette skyldes en favoriseret syntese af kollagen og elastin . For det organiske silicium, der markedsføres for eksempel G5, er det en silanol med formlen CH3-Si (OH) 3.
Et sådant kompleks er også blevet anvendt i human terapi under specialnavnet Conjonctyl med indikation af kredsløbsiskæmi (cerebral, koronar, mesenterisk, lemmer), osteoporose, mastodynia og mastose såvel som tilstande af asteni. Fysisk og / eller psykologisk af den gamle mand. Kun markedsføringstilladelsen ( AMM ) for disse indikationer er trukket tilbage, på grund af mangel på, at producentlaboratoriet er i stand til at frembringe nyere klinisk dokumentation, videnskabeligt vurderet. Conjunctyl blev for nylig godkendt igen som et medicinsk udstyr ved intradermal injektion til udfyldning af huddepressioner (rynker, ar).
Muligheden for en helt anden livsform baseret hovedsageligt på silicium og ikke kulstof er blevet nævnt. Dette kunne være baseret på det faktum, at silicium ikke kun er tetravalent som carbon, men at det er i stand til at danne ladede og stabile fem- og seks-koordinatkomplekser. Disse kunne have interessante katalytiske egenskaber, som er blevet lidt undersøgt i eksobiologiske hypoteser .
Det skal dog bemærkes, at silicium er ekstremt vanskeligt at danne flere bindinger, som er nødvendige for, at udvekslingerne fungerer i cellen. Eksempler på siliciummolekyler med flere bindinger eller andre valenser end IV er kun mulige med særligt komplekse substituenter. På et eller andet tidspunkt Forskning Af lægemidler indeholdende silicium blev udført og i sidste ende ikke medført nogen fordel .
Nogle videnskabsmænd Tror de er nødt til at konkludere negativt til denne form for proposition. Ifølge dem ville silicium kun deltage lidt i biologiske reaktioner, men snarere tjene som støtte (konvolutter, skelet, geler). Imidlertid viser sig, at silicium er tæt forbundet med DNA , derfor inde i cellernes kerne , for en funktion, der stadig skal identificeres. Der er også et enzym i mitokondriernes væg, som deltager i transporten af silicium inde i dem og kan være forbundet med Krebs-cyklussen .
Endelig er de endelige argumenter, der kan sætte spørgsmålstegn ved muligheden for en eksistens af en livsform baseret på silicium, på den ene side den relative overflod af kulstof i universet, som er meget større end silicium og 'på den anden side den kemiske inerti silica SiO 2 , fast, sammenlignet med labilitet af kuldioxid CO 2 , gasformig.
Hypotesen om et liv baseret på silicium vises i en episode af Star Trek (TOS, The Mines of Horta ) og i en roman af Philip K. Dick , Nick og Glimmung.
Silicium findes ikke naturligt i fri tilstand på Jorden , men det er meget rigeligt i form af oxider, for eksempel silica eller silicater . Silicium ekstraheres fra dets oxid ved metallurgiske processer, og dets renhedsgrad afhænger af dets endelige anvendelse.
Der er tre niveauer af siliciumrenhed, der er udpeget efter brug:
For at opnå gratis silicium (undertiden forkert kaldet “siliciummetal” for at skelne det fra ferrosilicium ) skal det reduceres; industrielt udføres denne reduktion ved elektrometallurgi i en åben lysbueovn , hvis effekt kan gå op til ca. 35 MW . Den generelle reaktion er i princippet en carboterm reaktion :
SiO 2+ C ⟶ Si + CO 2.Virkeligheden er mere kompleks, idet mellemreaktioner for eksempel fører til dannelsen af siliciumcarbid SiC, siliciummonoxid SiO (ustabil).
I praksis er det silicium indført i form af stykker af silica (småsten, eller stykker af vene kvarts ), blandet med reduktionsmidler såsom træ, trækul , kul , råolie koks . Under hensyntagen til renhedskravene ved de endelige anvendelser skal siliciumdioxiden være relativt ren (især lavt jernoxidindhold ), og reduktionsmidlerne vælges omhyggeligt (f.eks. Vasket kul).
Blandingen hældes i en digel flere meter i diameter, hvor cylindriske kulstof elektroder (tre oftest) springet , som tilvejebringer elektrisk strøm og tillader de meget høje temperaturer, der kræves for de ønskede reaktioner, der skal nås (ca. 3 000 ° C i regionen den elektriske lysbue , ved spidsen af elektroderne).
Det opnåede silicium opsamles i "lommer" i flydende tilstand takket være åbninger lavet i diglen: hanehullerne. Siliciumstøbning er i modsætning til ferrosilicium en kontinuerlig støbning.
Det raffineres derefter i disse lommer ved at injicere luft og ilt for at oxidere aluminium og calcium .
Derefter adskilles den fra " slaggen " ( oxider produceret i de forskellige faser af processen og føres sammen med siliciumet), før den størknes:
De mellemliggende reaktioner, der fører til reduktion af silicium, producerer også et meget fint støv af amorf silica , som medfølges af de varme gasser (hovedsageligt luft og kuldioxid ), der udsendes af ovnen; i moderne installationer filtreres disse gasser for at opsamle dette amorfe silica-støv, der bruges som tilsætningsstof i højtydende beton .
Afhængigt af anvendelsen anvendes silicium i form af stykker (produktion af aluminium-siliciumlegeringer) eller i form af pulver opnået ved formaling (produktion af siliconer).
Silicium til elektronik opnås fra elektrometallurgisk silicium, men kræver et kemisk trin (oprensning udført på silaner), derefter et sæt fysiske oprensninger, inden de enkelte krystaller trækkes.
Operationen udføres under anvendelse af trichlorsilan (SiHCl 3 ), eller siliciumtetrachlorid (SiCl 4 ), eller silicium -tetraiodid (SII 4 ) etc. For eksempel ved at angribe kobber silicid ved 300 ° C med saltsyre, er trichlorsilan dannes; dette legeme renses ved en meget grundig destillation ; den nedbrydes derefter ved 950 ° C i nærværelse af hydrogen ; der opnås kompakte blokke af meget rent silicium ( Pechiney- proces ).
Fremstilling af den enkelte krystalDet ønskes at opnå N-type enkeltkrystaller ; det kemisk opnåede silicium indeholder imidlertid altid nogle spor af bor og er af type P; det krystalliseres derfor, og det omdannes til en N-type halvleder .
PrincipEn mængde silicium væsentlige svarer til vægten af den enkeltkrystal, der skal opnås anbringes i en kvarts digel ; elektrondonoren tilføjes; ingen urenhed bør forstyrre krystallisation ; operationen skal derfor finde sted i en hermetisk lukket indhegning, af "kirurgisk" renhed og i en neutral atmosfære eller under vakuum.
ProduktionOmkring kvarts isolerende indelukke anbringes induktor en højfrekvensgenerator, som tillader at bringe blandingen til Si-gun driver temperatur fusion , eller 1500 ° C ca.. Når fusionen er afsluttet, kan krystallisationsoperationen begynde; til dette formål præsenterer et præcisionsmekanisk system enkeltkrystalfrøet i kontakt med badet og løfter det derefter lodret, meget langsomt, samtidig med at det giver en meget langsom rotation, som hjælper homogenisering. Kimen medfører silicium, som derefter trækkes ud af HF-induktionens virkning; Si afkøles og krystalliserer derfor i henhold til rækkefølgen fastlagt af frøet.
Operationen er meget delikat; løftehastigheden skal være konstant for ikke at forstyrre dannelsen af krystallen; badets temperatur skal også være konstant inden for 0,1 ° C (og dette omkring 1500 ° C ). Homogenisering, hjulpet af de to løfte- og rotationsbevægelser, er afgørende; faktisk, når operationen skrider frem, ser badet dets koncentration af urenheder stige, fordi sidstnævnte har mere affinitet for den flydende fase end for den faste fase.
Den opnåede enkeltkrystal er i form af en mere eller mindre regelmæssig cylinder, op til 30 cm i diameter; den er adskilt i begge ender: Hovedet, der er meget rent, vil tjene som en kim til en efterfølgende operation; bunden, som måske ikke er ren nok, afvises.
Forberedelse af wafere ( wafers )På grund af den meget høje pris på monokrystallinsk silicium, undgå tab af materiale under tilberedning af wafere ( wafer ) . Da krystallen er meget skrøbelig, er det nødvendigt at undgå enhver begrænsning, der kan deformere eller bryde dem. Derudover skal wafers overfladetilstand være så perfekt som muligt, og behandlingen må ikke "forurene" den enkelte krystal.
SkæringSilicium skæres i vafler ( wafere ) 0,2 til 0,3 mm tykke ved hjælp af en diamant cirkelsav med høj præcision. Arbejdet udføres i vand for at undgå opvarmning og forurening. Affaldet er vigtigt, slammet filtreres, og siliciumpulveret genvindes og bruges igen.
Lappende ansigterDens formål er at eliminere uregelmæssighederne i overfladen forårsaget af kornene af diamantpulver under skæring; det udføres med siliciumcarbidpulver . Efter mekanisk lapping fjerner kemisk lapping de sidste uregelmæssigheder på overfladelaget, der kan være forurenet. Syrebade ( flussyre og salpetersyre ) anvendes til dette formål ; derefter skylles vaflerne grundigt og tørres. Dette kemiske angreb kan erstattes eller suppleres med elektrolytisk polering .
Skæring af pelletsSkæres vafler ( wafere ) i et stort antal piller med præcision, hvor bredden på skærelinjen er så lav som muligt ( 0,125 til 0,15 mm ). Skæreværnet fjernes derefter ved kemisk angreb efterfulgt af skylning.
1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | ||||||||||||||||
1 | H | Hej | |||||||||||||||||||||||||||||||
2 | Li | Være | B | VS | IKKE | O | F | Født | |||||||||||||||||||||||||
3 | Ikke relevant | Mg | Al | Ja | P | S | Cl | Ar | |||||||||||||||||||||||||
4 | K | Det | Sc | Ti | V | Cr | Mn | Fe | Co | Eller | Cu | Zn | Ga | Ge | Es | Se | Br | Kr | |||||||||||||||
5 | Rb | Sr | Y | Zr | Nb | Mo | Tc | Ru | Rh | Pd | Ag | CD | I | Sn | Sb | Du | jeg | Xe | |||||||||||||||
6 | Cs | Ba | Det | Det her | Pr | Nd | Om eftermiddagen | Sm | Havde | Gd | TB | D y | Ho | Er | Tm | Yb | Læs | Hf | Dit | W | Re | Knogle | Ir | Pt | På | Hg | Tl | Pb | Bi | Po | På | Rn | |
7 | Fr | Ra | Ac | Th | Pa | U | Np | Kunne det | Er | Cm | Bk | Jf | Er | Fm | Md | Ingen | Lr | Rf | Db | Sg | Bh | Hs | Mt | Ds | Rg | Cn | Nh | Fl | Mc | Lv | Ts | Og | |
8 | 119 | 120 | * | ||||||||||||||||||||||||||||||
* | 121 | 122 | 123 | 124 | 125 | 126 | 127 | 128 | 129 | 130 | 131 | 132 | 133 | 134 | 135 | 136 | 137 | 138 | 139 | 140 | 141 | 142 |
alkali metaller |
Alkalisk jord |
Lanthanider |
overgangsmetaller metaller |
Dårlige metaller |
Metal- loids |
Ikke- metaller |
halo -gener |
Ædle gasser |
Varer uklassificeret |
Actinides | |||||||||
Superactinider |